3DD13005A1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005A1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13005A1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005A1 даташит

 ..1. Size:180K  crhj
3dd13005a1.pdfpdf_icon

3DD13005A1

 5.1. Size:302K  jilin sino
3dd13005a.pdfpdf_icon

3DD13005A1

 5.2. Size:145K  crhj
3dd13005a7.pdfpdf_icon

3DD13005A1

 5.3. Size:143K  crhj
3dd13005a3.pdfpdf_icon

3DD13005A1

Другие транзисторы: 3DD13003U3D, 3DD13003U6D, 3DD13003V1D, 3DD13003V6D, 3DD13003VUD, 3DD13003W3D, 3DD13003W6D, 3DD13003X1, TIP32C, 3DD13005A3, 3DD13005A7, 3DD13005B3, 3DD13005B5, 3DD13005C3D, 3DD13005C7D, 3DD13005C8D, 3DD13005C9D