3DD13005B5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005B5  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO126A

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13005B5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005B5 даташит

 ..1. Size:150K  crhj
3dd13005b5.pdfpdf_icon

3DD13005B5

 5.1. Size:147K  crhj
3dd13005b3.pdfpdf_icon

3DD13005B5

 6.1. Size:440K  1
3dd13005md.pdfpdf_icon

3DD13005B5

 6.2. Size:108K  secos
3dd13005.pdfpdf_icon

3DD13005B5

3DD13005 4A , 700V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-220J Power switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Rating Unit Collector to Base Voltage V 700 V CBO Collector to Emitter Voltage VCEO 400 V

Другие транзисторы: 3DD13003VUD, 3DD13003W3D, 3DD13003W6D, 3DD13003X1, 3DD13005A1, 3DD13005A3, 3DD13005A7, 3DD13005B3, TIP120, 3DD13005C3D, 3DD13005C7D, 3DD13005C8D, 3DD13005C9D, 3DD13005F7, 3DD13005F8, 3DD13005F8-1, 3DD13005F9-1