3DD13005C7D datasheet, аналоги, параметры транзистора

3DD13005C7D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005C7D 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126F

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 3DD13005C7D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

..1. Size:152K crhj
3dd13005c7d.pdf pdf_icon

NPN R 3DD13005 C7D 3DD13005 C7D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 50 W

..2. Size:168K wuxi china
3dd13005c7d.pdf pdf_icon

NPN R 3DD13005 C7D 3DD13005 C7D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 50 W

5.1. Size:152K crhj
3dd13005c9d.pdf pdf_icon

NPN R 3DD13005 C9D 3DD13005 C9D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

5.2. Size:155K crhj
3dd13005c8d.pdf pdf_icon

NPN R 3DD13005 C8D 3DD13005 C8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W