3DD13005C9D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005C9D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13005C9D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005C9D даташит

 ..1. Size:152K  crhj
 3dd13005c9d.pdf pdf_icon

3DD13005C9D

NPN R 3DD13005 C9D 3DD13005 C9D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

 5.1. Size:155K  crhj
 3dd13005c8d.pdf pdf_icon

3DD13005C9D

NPN R 3DD13005 C8D 3DD13005 C8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W

 5.2. Size:152K  crhj
 3dd13005c7d.pdf pdf_icon

3DD13005C9D

NPN R 3DD13005 C7D 3DD13005 C7D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 50 W

 5.3. Size:151K  crhj
 3dd13005c3d.pdf pdf_icon

3DD13005C9D

NPN R 3DD13005 C3D 3DD13005 C3D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 40 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13005A1, 3DD13005A3, 3DD13005A7, 3DD13005B3, 3DD13005B5, 3DD13005C3D, 3DD13005C7D, 3DD13005C8D, BD333, 3DD13005F7, 3DD13005F8, 3DD13005F8-1, 3DD13005F9-1, 3DD13005G3D, 3DD13005G7D, 3DD13005G8D, 3DD13005GRD