3DD13005F8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13005F8  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13005F8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13005F8 даташит

 ..1. Size:154K  crhj
3dd13005f8.pdfpdf_icon

3DD13005F8

 0.1. Size:170K  crhj
3dd13005f8-1.pdfpdf_icon

3DD13005F8

 5.1. Size:147K  crhj
3dd13005f7.pdfpdf_icon

3DD13005F8

 5.2. Size:161K  crhj
3dd13005f9-1.pdfpdf_icon

3DD13005F8

Другие транзисторы: 3DD13005A7, 3DD13005B3, 3DD13005B5, 3DD13005C3D, 3DD13005C7D, 3DD13005C8D, 3DD13005C9D, 3DD13005F7, BD222, 3DD13005F8-1, 3DD13005F9-1, 3DD13005G3D, 3DD13005G7D, 3DD13005G8D, 3DD13005GRD, 3DD13005N7D, 3DD13005N8D