Биполярный транзистор 3DD13005G8D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD13005G8D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220AB
Аналоги (замена) для 3DD13005G8D
3DD13005G8D Datasheet (PDF)
3dd13005g8d.pdf
NPN R 3DD13005 G8D 3DD13005 G8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 75
3dd13005g3d.pdf
NPN R 3DD13005 G3D 3DD13005 G3D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 40
3dd13005g7d.pdf
NPN R 3DD13005 G7D 3DD13005 G7D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot W TC=25 50
3dd13005grd.pdf
NPN R 3DD13005 GRD 3DD13005 GRD NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
3dd13005grd.pdf
NPN R 3DD13005 GRD 3DD13005 GRD NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
