All Transistors. 3DD13005G8D Datasheet

 

3DD13005G8D Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: 3DD13005G8D

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 75 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 700 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 400 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 9 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 4 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 5 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15

Noise Figure, dB: -

Package: TO220AB

3DD13005G8D Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

 

3DD13005G8D Datasheet (PDF)

1.1. 3dd13005g8d.pdf Size:155K _china

3DD13005G8D
3DD13005G8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13005 G8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13005 G8D 是硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管,该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 4 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 75 终端结构和

1.2. 3dd13005g7d.pdf Size:147K _china

3DD13005G8D
3DD13005G8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13005 G7D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13005 G7D 是硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管,该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 4 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 50 终端结构和

 1.3. 3dd13005g3d.pdf Size:145K _china

3DD13005G8D
3DD13005G8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13005 G3D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13005 G3D 是硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管,该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 4 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 40 终端结构和

1.4. 3dd13005grd.pdf Size:155K _china

3DD13005G8D
3DD13005G8D

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13005 GRD 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13005 GRD 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管,该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 4 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 75 W 终端结构和少

Datasheet: 3DD13005C8D , 3DD13005C9D , 3DD13005F7 , 3DD13005F8 , 3DD13005F8-1 , 3DD13005F9-1 , 3DD13005G3D , 3DD13005G7D , BC548 , 3DD13005GRD , 3DD13005N7D , 3DD13005N8D , 3DD13005P8D , 3DD13007 , 3DD13007B8 , 3DD13007H8D , 3DD13007X1 .

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