Биполярный транзистор 3DD253
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD253
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
Корпус транзистора:
TO3
Аналоги (замена) для 3DD253
3DD253
Datasheet (PDF)
..1. Size:31K shaanxi
3dd253.pdf 
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD253(254),3DD255(256),3DD257(258) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33
9.1. Size:150K jilin sino
3dd2553.pdf 
NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2553 FOR LOW FREQUENCY R3DD2553 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1700 V BV CBO8 A I C4 V(max) V
9.2. Size:25K shaanxi
3dd257.pdf 
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD257(3DD258)NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ8
9.3. Size:25K shaanxi
3dd255.pdf 
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD257(3DD258)NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ8
9.4. Size:32K shaanxi
3dd259.pdf 
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD259(260,261), 3DD262(263) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, Q
Другие транзисторы... 2N3192
, 2N3193
, 2N3194
, 2N3195
, 2N3196
, 2N3197
, 2N3198
, 2N3199
, BC327
, 2N320
, 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
.
