Справочник транзисторов. 3DD255

 

Биполярный транзистор 3DD255 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD255
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DD255 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:25K  shaanxi
3dd255.pdfpdf_icon

3DD255

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD257(3DD258)NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ8

 0.1. Size:150K  jilin sino
3dd2553.pdfpdf_icon

3DD255

NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2553 FOR LOW FREQUENCY R3DD2553 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1700 V BV CBO8 A I C4 V(max) V

 9.1. Size:25K  shaanxi
3dd257.pdfpdf_icon

3DD255

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD257(3DD258)NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ8

 9.2. Size:31K  shaanxi
3dd253.pdfpdf_icon

3DD255

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD253(254),3DD255(256),3DD257(258) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BD402 | BFR71 | MRF9411BLT3 | 40968 | 41501 | MRF342

 

 
Back to Top

 


 
.