Биполярный транзистор 3DD4550A4
Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DD4550A4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1050
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 18
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 48
Корпус транзистора:
TO252
- подбор биполярного транзистора по параметрам
3DD4550A4
Datasheet (PDF)
..1. Size:159K crhj
3dd4550a4.pdf 
NPN R 3DD4550 A4 3DD4550 A4 NPN VCEO 450 V IC 5 A Ptot W TC=25 40
7.1. Size:159K crhj
3dd4550 a4.pdf 
NPN R 3DD4550 A4 3DD4550 A4 NPN VCEO 450 V IC 5 A Ptot W TC=25 40
9.1. Size:647K jilin sino
3dd4515.pdf 
NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R3DD4515 MAIN CHARACTERISTICS Package I 15A CV 400V CEOP (TO-3PN(B)/TO-247) 120W C APPLICATIONS Energy-saving ligh Electronic ballasts High frequency switching power
9.2. Size:177K crhj
3dd4515 a1.pdf 
NPN R 3DD4515 A1 3DD4515 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.3. Size:147K crhj
3dd4520 a6.pdf 
NPN R 3DD4520 A6 3DD4520 A6 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 50 W
9.4. Size:147K crhj
3dd4540a3.pdf 
NPN R 3DD4540 A3 3DD4540 A3 NPN VCEO 450 V IC 4 A Ptot TC=25 40 W
9.5. Size:177K crhj
3dd4513a1d.pdf 
NPN R 3DD4513 A1D 3DD4513 A1D NPN VCEO 450 V IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.6. Size:194K crhj
3dd4530 a1-h.pdf 
NPN R 3DD4530 A1-H 3DD4530 A1-H NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.7. Size:171K crhj
3dd4515a23.pdf 
R NPN 3DD4515 A23 3DD4515 A23 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.8. Size:177K crhj
3dd4515a1.pdf 
NPN R 3DD4515 A1 3DD4515 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.9. Size:152K crhj
3dd4518 a6d.pdf 
NPN R 3DD4518 A6D ` 3DD4518 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 50 W
9.10. Size:150K crhj
3dd4515 a6.pdf 
NPN R 3DD4515 A6 3DD4515 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
9.11. Size:158K crhj
3dd4520a4.pdf 
NPN R 3DD4520 A4 3DD4520 A4 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W
9.12. Size:151K crhj
3dd4540a7.pdf 
NPN R 3DD4540 A7 3DD4540 A7 NPN VCEO 450 V IC 4 A Ptot TC=25 50 W
9.13. Size:150K crhj
3dd4540a9.pdf 
NPN R 3DD4540 A9 3DD4540 A9 NPN VCEO 450 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
9.14. Size:151K crhj
3dd4540 a7.pdf 
NPN R 3DD4540 A7 3DD4540 A7 NPN VCEO 450 V IC 4 A Ptot TC=25 50 W
9.15. Size:187K crhj
3dd4518a1d.pdf 
NPN R 3DD4518 A1D 3DD4518 A1D-H VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.16. Size:178K crhj
3dd4513 a1d.pdf 
NPN R 3DD4513 A1D 3DD4513 A1D NPN VCEO 450 V IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.17. Size:147K crhj
3dd4540 a3.pdf 
NPN R 3DD4540 A3 3DD4540 A3 NPN VCEO 450 V IC 4 A Ptot TC=25 40 W
9.18. Size:147K crhj
3dd4520a6.pdf 
NPN R 3DD4520 A6 3DD4520 A6 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 50 W
9.19. Size:150K crhj
3dd4515a6.pdf 
NPN R 3DD4515 A6 3DD4515 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
9.20. Size:152K crhj
3dd4518a6d.pdf 
NPN R 3DD4518 A6D ` 3DD4518 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 50 W
9.21. Size:145K crhj
3dd4518a3d.pdf 
NPN R 3DD4518 A3D 3DD4518 A3D VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 35 W
9.22. Size:148K crhj
3dd4513a6d.pdf 
NPN R 3DD4513 A6D ` 3DD4513 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.3 A Ptot TC=25 40 W
9.23. Size:146K crhj
3dd4520 a3.pdf 
NPN R 3DD4520 A3 3DD4520 A3 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W
9.24. Size:149K crhj
3dd4513 a6d.pdf 
NPN R 3DD4513 A6D ` 3DD4513 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.3 A Ptot TC=25 40 W
9.25. Size:159K crhj
3dd4520 a4.pdf 
NPN R 3DD4520 A4 3DD4520 A4 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W
9.26. Size:145K crhj
3dd4518 a3d.pdf 
NPN R 3DD4518 A3D 3DD4518 A3D VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 35 W
9.27. Size:187K crhj
3dd4518 a1d.pdf 
NPN R 3DD4518 A1D 3DD4518 A1D-H VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.28. Size:147K crhj
3dd4520a3.pdf 
NPN R 3DD4520 A3 3DD4520 A3 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W
9.29. Size:150K crhj
3dd4540 a9.pdf 
NPN R 3DD4540 A9 3DD4540 A9 NPN VCEO 450 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
9.30. Size:214K inchange semiconductor
3dd4515.pdf 
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD4515DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I =10ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier,high speed switching andregulated power supply applications.ABS
Другие транзисторы... HA9079
, HA9500
, HA9501
, HA9502
, HA9531
, HA9531A
, HA9532
, HA9532A
, D667
, HCT2907A
, HCT2907M
, HDA412
, HDA420
, HDA496
, HEP637
, HEPG0001
, HEPG0002
.
History: KTC4080O
| 3DD03T
| HEPS3003
| ZTX214L
| UMB6N
| SMUN5335DW
| MJE1320-ISC
