3DD4550A4. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DD4550A4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1050 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 18 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 48
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для 3DD4550A4
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD4550A4 даташит
9.3. Size:147K crhj
3dd4520 a6.pdf 
NPN R 3DD4520 A6 3DD4520 A6 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 50 W
9.5. Size:177K crhj
3dd4513a1d.pdf 
NPN R 3DD4513 A1D 3DD4513 A1D NPN VCEO 450 V IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.7. Size:171K crhj
3dd4515a23.pdf 
R NPN 3DD4515 A23 3DD4515 A23 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.10. Size:150K crhj
3dd4515 a6.pdf 
NPN R 3DD4515 A6 3DD4515 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
9.11. Size:158K crhj
3dd4520a4.pdf 
NPN R 3DD4520 A4 3DD4520 A4 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W
9.15. Size:187K crhj
3dd4518a1d.pdf 
NPN R 3DD4518 A1D 3DD4518 A1D-H VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.16. Size:178K crhj
3dd4513 a1d.pdf 
NPN R 3DD4513 A1D 3DD4513 A1D NPN VCEO 450 V IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.18. Size:147K crhj
3dd4520a6.pdf 
NPN R 3DD4520 A6 3DD4520 A6 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 50 W
9.19. Size:150K crhj
3dd4515a6.pdf 
NPN R 3DD4515 A6 3DD4515 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
9.21. Size:145K crhj
3dd4518a3d.pdf 
NPN R 3DD4518 A3D 3DD4518 A3D VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 35 W
9.22. Size:148K crhj
3dd4513a6d.pdf 
NPN R 3DD4513 A6D 3DD4513 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.3 A Ptot TC=25 40 W
9.24. Size:149K crhj
3dd4513 a6d.pdf 
NPN R 3DD4513 A6D 3DD4513 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.3 A Ptot TC=25 40 W
9.25. Size:159K crhj
3dd4520 a4.pdf 
NPN R 3DD4520 A4 3DD4520 A4 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W
9.26. Size:145K crhj
3dd4518 a3d.pdf 
NPN R 3DD4518 A3D 3DD4518 A3D VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 35 W
9.27. Size:187K crhj
3dd4518 a1d.pdf 
NPN R 3DD4518 A1D 3DD4518 A1D-H VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.30. Size:214K inchange semiconductor
3dd4515.pdf 
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD4515 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I =10A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications. ABS
Другие транзисторы: 3DD4518A3D, 3DD4518A6D, 3DD4520A3, 3DD4520A4, 3DD4520A6, 3DD4540A3, 3DD4540A7, 3DD4540A9, 2SC5200, 3DD4A, 3DD4G, 3DD5, 3DD50, 3DD505, 3DD507, 3DD51, 3DD510
