3DD510 - описание и поиск аналогов

 

3DD510. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD510

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD510

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD510 даташит

 ..1. Size:36K  shaanxi
3dd510.pdfpdf_icon

3DD510

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd 11 53 31 Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 2012-8-1 3DD510,3DD511,DD04,DD05 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop.Good output character. 2. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for Low-speed switch, power amplify, power adjustme

 9.1. Size:153K  china
3dd51.pdfpdf_icon

3DD510

3DD50/3DD51 NPN A B C D E F PCM TC=75 1 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 100 /W IC=0.1A V(BR)CBO ICB=1mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.2 mA

 9.2. Size:23K  shaanxi
3dd515.pdfpdf_icon

3DD510

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD515 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 2. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for Low-speed switch, low frequency power amplify, power adjustm

 9.3. Size:34K  shaanxi
3dd512.pdfpdf_icon

3DD510

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd 11 53 05 Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 2012-8-1 3DD512,3DD515 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 2. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for Low-speed switch, low frequen

Другие транзисторы: 3DD4550A4, 3DD4A, 3DD4G, 3DD5, 3DD50, 3DD505, 3DD507, 3DD51, 2N5401, 3DD511, 3DD512, 3DD515, 3DD53, 3DD56, 3DD57, 3DD58, 3DD59

 

 

 

 

↑ Back to Top
.