Биполярный транзистор 3DD510 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD510
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO3
3DD510 Datasheet (PDF)
3dd510.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd 11:53:31 Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 2012-8-1 3DD510,3DD511,DD04,DD05 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop.Good output character. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for Low-speed switch, power amplify, power adjustme
3dd51.pdf
3DD50/3DD51 NPN A B C D E F PCM TC=75 1 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 100 /W IC=0.1A V(BR)CBO ICB=1mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.2 mA
3dd515.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD515NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for Low-speed switch, low frequency power amplify, power adjustm
3dd512.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd 11:53:05 Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 2012-8-1 3DD512,3DD515 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for Low-speed switch, low frequen
3dd511.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD511NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop.Good output character. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 3. Use for Low-speed switch, power amplify, power adjustment. 4. Quality Class: JP, JT, JCT, GS,
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050