3DD57 - описание и поиск аналогов

 

3DD57. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD57

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257

 Аналоги (замена) для 3DD57

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD57 даташит

 ..1. Size:151K  china
 3dd57.pdf pdf_icon

3DD57

3DD56/3DD57 NPN A B C D E F PCM TC=75 10 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA

Другие транзисторы: 3DD507, 3DD51, 3DD510, 3DD511, 3DD512, 3DD515, 3DD53, 3DD56, S8050, 3DD58, 3DD59, 3DD5A, 3DD5G, 3DD6, 3DD60, 3DD6012A6, 3DD62

 

 

 

 

↑ Back to Top
.