Биполярный транзистор 3DD58 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD58
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257
3DD58 Datasheet (PDF)
..1. Size:150K china
3dd58.pdf
3dd58.pdf
3DD58 NPN A B C D E F PCM Tc=75 10 W ICM 1.5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=3mA 5.0 V ICBO VCB=50V 0.5 mA
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050