Справочник транзисторов. 3DD5G

 

Биполярный транзистор 3DD5G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD5G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  china
 3dd5g.pdf pdf_icon

3DD5G

3DD5GI-T NPN G H I PCM Tc=75 25 W ICM 1.5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 4 /W IC=0.5A V(BR)CBO ICE=1mA 400 500 600 V V(BR)CEO ICE=1mA 400 500 600 V V(BR)EBO IEB=0.5mA 5.0 V ICBO VCE=100V 0.5 mA ICEO VCE=100V 0.5 mA

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N6202 | 2N1196 | MUN5116DW1T1G | 2SC2959 | 2SA909 | 2SA1480E | 2N4355

 

 
Back to Top

 


 
.