3DD5G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DD5G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7
Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257
Аналоги (замена) для 3DD5G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD5G даташит
Другие транзисторы: 3DD512, 3DD515, 3DD53, 3DD56, 3DD57, 3DD58, 3DD59, 3DD5A, 13007, 3DD6, 3DD60, 3DD6012A6, 3DD62, 3DD63, 3DD64, 3DD65, 3DD66
History: 3DD6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124