3DD6. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DD6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO276AB
TO220
TO257
Аналоги (замена) для 3DD6
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD6 даташит
0.5. Size:131K china
3dd69.pdf 
3DD68/3DD69 NPN A B C D E F PCM TC=75 100 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=20mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.5 mA
0.6. Size:141K china
3dd66.pdf 
3DD65/3DD66 NPN A B C D E F PCM TC=75 75 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.33 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=15mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.
0.7. Size:151K china
3dd62.pdf 
3DD62/3DD63/3DD64 NPN A B C D E F PCM TC=75 50 W ICM 7.5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=7mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=7mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V
0.8. Size:151K china
3dd64.pdf 
3DD62/3DD63/3DD64 NPN A B C D E F PCM TC=75 50 W ICM 7.5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=7mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=7mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V
0.10. Size:141K china
3dd65.pdf 
3DD65/3DD66 NPN A B C D E F PCM TC=75 75 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.33 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=15mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.
0.11. Size:151K china
3dd60.pdf 
3DD59/3DD60 NPN A B C D E F PCM TC=75 25 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 4 /W IC=0.5A V(BR)CBO ICB=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA
0.12. Size:131K china
3dd68.pdf 
3DD68/3DD69 NPN A B C D E F PCM TC=75 100 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=20mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.5 mA
0.13. Size:151K china
3dd63.pdf 
3DD62/3DD63/3DD64 NPN A B C D E F PCM TC=75 50 W ICM 7.5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=7mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=7mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V
0.14. Size:221K inchange semiconductor
3dd6e.pdf 
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD6E DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain-h =10(Min)@I = 2.5A FE C Low Saturation Voltage- V )= 1.5V(Max)@ I = 2.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for high power audio ,disk head positioners and other linear applications, which c
Другие транзисторы: 3DD515, 3DD53, 3DD56, 3DD57, 3DD58, 3DD59, 3DD5A, 3DD5G, BD140, 3DD60, 3DD6012A6, 3DD62, 3DD63, 3DD64, 3DD65, 3DD66, 3DD68
