Справочник транзисторов. 3DD6012A6

 

Биполярный транзистор 3DD6012A6 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD6012A6
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 530 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 3DD6012A6

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD6012A6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  crhj
 3dd6012a6.pdf pdf_icon

3DD6012A6

NPN R 3DD6012 A6 3DD6012 A6 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot W TC=25 50

 7.1. Size:149K  crhj
 3dd6012 a6.pdf pdf_icon

3DD6012A6

NPN R 3DD6012 A6 3DD6012 A6 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot W TC=25 50

 7.2. Size:194K  crhj
 3dd6012 a1.pdf pdf_icon

3DD6012A6

NPN R 3DD6012 A1 3DD6012 A1 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

 9.1. Size:151K  china
 3dd60.pdf pdf_icon

3DD6012A6

3DD59/3DD60 NPN A B C D E F PCM TC=75 25 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 4 /W IC=0.5A V(BR)CBO ICB=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DD56 , 3DD57 , 3DD58 , 3DD59 , 3DD5A , 3DD5G , 3DD6 , 3DD60 , A1941 , 3DD62 , 3DD63 , 3DD64 , 3DD65 , 3DD66 , 3DD68 , 3DD69 , 3DD6E-T .

 

 
Back to Top

 


 
.