3DD62 - описание и поиск аналогов

 

3DD62. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD62

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257

 Аналоги (замена) для 3DD62

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD62 даташит

 ..1. Size:151K  china
 3dd62.pdf pdf_icon

3DD62

3DD62/3DD63/3DD64 NPN A B C D E F PCM TC=75 50 W ICM 7.5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=7mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=7mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V

Другие транзисторы: 3DD57, 3DD58, 3DD59, 3DD5A, 3DD5G, 3DD6, 3DD60, 3DD6012A6, BC557, 3DD63, 3DD64, 3DD65, 3DD66, 3DD68, 3DD69, 3DD6E-T, 3DD7

 

 

 

 

↑ Back to Top
.