3DD66 - описание и поиск аналогов

 

3DD66. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD66

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO258 TO3

 Аналоги (замена) для 3DD66

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD66 даташит

 ..1. Size:141K  china
 3dd66.pdf pdf_icon

3DD66

3DD65/3DD66 NPN A B C D E F PCM TC=75 75 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.33 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=15mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.

Другие транзисторы: 3DD5G, 3DD6, 3DD60, 3DD6012A6, 3DD62, 3DD63, 3DD64, 3DD65, A1941, 3DD68, 3DD69, 3DD6E-T, 3DD7, 3DD71, 3DD73, 3DD741A4, 3DD741A8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.