3DD71 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD71  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD71

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD71 даташит

 ..1. Size:121K  china
 3dd71.pdf pdf_icon

3DD71

3DD71 NPN A B C D E F PCM TC=75 150 W ICM 20 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 0.67 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=20mA 5.0 V ICBO VCB=20V 2.0 mA

Другие транзисторы: 3DD63, 3DD64, 3DD65, 3DD66, 3DD68, 3DD69, 3DD6E-T, 3DD7, 2SD1047, 3DD73, 3DD741A4, 3DD741A8, 3DD742A8, 3DD7525A3, 3DD8, 3DD810, 3DD820