Биполярный транзистор 3DD8 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD8
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3 TO258
3DD8 Datasheet (PDF)
3dd8.pdf
3DD8 NPN A B C D E F PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3.5A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=15mA 5.0 V ICBO VCB=20V 2.0 mA
3dd8e.pdf
3DD8ET NPN PCM TC75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.0 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 350 V V(BR)CEO ICE=5mA 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICEO VCE=100V 5.0 mA IC=5A VCEsat 1.5 V IB=0.5A VCE=5V hFE 7180
3dd831.pdf
3DD831 NPN PCM TC=75 5 W ICM 2 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 20 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=1mA 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 45 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=50V 0.5 mA ICEO VCE=30V 1.0 mA IEBO VEB=4V 0.5 mA VBEsat 1.2 IC
3dd810.pdf
3DD810 NPN PCM Tc=75 50 W ICM 8 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 2.0 /W Ic=5.0A 25Tc75 V(BR)CBO ICB=5mA 150 V V(BR)CEO ICE=5mA 100 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=50V, 1.5 A ICEO VCE=50V 2.0 mA IEBO VEB=4.0V 1.5
3dd820.pdf
3DD820 NPN PCM Tc=75 50 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 2.5 /W Ic=2.5A 25Tc75 V(BR)CBO ICB=5mA 1500 V V(BR)CEO ICE=5mA 600 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=VCBO, 1.0 mA ICEO VCE=0.5VCEO 1.0 mA Ic=4A VCEsat
3dd8d.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD8DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 110V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2V(Max) @I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier, low speed switching andregulated power supply applications.ABSOLUT
3dd880x.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 3DD880XDESCRIPTIONX: DC Current Gain -h = 55-75@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR) CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL
3dd880.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 3DD880DESCRIPTIONDC Current Gain -h = 60-300@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR) CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050