Справочник транзисторов. 3DD8

 

Биполярный транзистор 3DD8 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD8
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3 TO258
 

 Аналог (замена) для 3DD8

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  china
 3dd8.pdf pdf_icon

3DD8

3DD8 NPN A B C D E F PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3.5A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=15mA 5.0 V ICBO VCB=20V 2.0 mA

 0.1. Size:154K  china
 3dd8e.pdf pdf_icon

3DD8

3DD8ET NPN PCM TC75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.0 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 350 V V(BR)CEO ICE=5mA 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICEO VCE=100V 5.0 mA IC=5A VCEsat 1.5 V IB=0.5A VCE=5V hFE 7180

 0.2. Size:148K  china
 3dd831.pdf pdf_icon

3DD8

3DD831 NPN PCM TC=75 5 W ICM 2 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 20 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=1mA 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 45 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=50V 0.5 mA ICEO VCE=30V 1.0 mA IEBO VEB=4V 0.5 mA VBEsat 1.2 IC

 0.3. Size:125K  china
 3dd810.pdf pdf_icon

3DD8

3DD810 NPN PCM Tc=75 50 W ICM 8 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 2.0 /W Ic=5.0A 25Tc75 V(BR)CBO ICB=5mA 150 V V(BR)CEO ICE=5mA 100 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=50V, 1.5 A ICEO VCE=50V 2.0 mA IEBO VEB=4.0V 1.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DD6E-T , 3DD7 , 3DD71 , 3DD73 , 3DD741A4 , 3DD741A8 , 3DD742A8 , 3DD7525A3 , MJE340 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , 3DD9 , 3DD99 , 3DD9D , 3DD9E .

History: UMB3NFHA | 40407S | DDTC113TCA | BF435

 

 
Back to Top

 


 
.