All Transistors. 3DD8 Datasheet

 

3DD8 Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: 3DD8

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 100 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 30 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 30 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 10 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 175 °C

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15

Noise Figure, dB: -

Package: TO3_TO258

3DD8 Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

3DD8 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd8e.pdf Size:154K _china

3DD8

3DD8E—T 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TC≤75℃ 100 W ICM 10 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 1.0 ℃/W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA ≥350 V V(BR)CEO ICE=5mA ≥250 V V(BR)EBO IEB=5mA ≥5.0 V 直 ICEO VCE=100V ≤5.0 mA 流 参 IC=5A VCEsat ≤1.5 V 数 IB=0.5A VCE=5V hFE 7~180

1.2. 3dd831.pdf Size:148K _china

3DD8

3DD831 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TC=75℃ 5 W ICM 2 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 20 ℃/W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=1mA ≥50 V V(BR)CEO ICE=1mA ≥45 V V(BR)EBO IEB=1mA ≥5.0 V ICBO VCB=50V ≤0.5 mA 直 流 ICEO VCE=30V ≤1.0 mA 参 IEBO VEB=4V ≤0.5 mA 数 VBEsat ≤1.2 IC

1.3. 3dd820.pdf Size:114K _china

3DD8

3DD820 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM Tc=75℃ 50 W ICM 5 A 极 Tjm 150 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 2.5 ℃/W Ic=2.5A 25℃≤Tc≤75℃ V(BR)CBO ICB=5mA ≥1500 V V(BR)CEO ICE=5mA ≥600 V V(BR)EBO IEB=5mA ≥5.0 V 直 ICBO VCB=VCBO, ≤1.0 mA 流 ICEO VCE=0.5VCEO ≤1.0 mA 参 Ic=4A VCEsat

1.4. 3dd810.pdf Size:125K _china

3DD8

3DD810 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM Tc=75℃ 50 W ICM 8 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 2.0 ℃/W Ic=5.0A 25℃≤Tc≤75℃ V(BR)CBO ICB=5mA ≥150 V V(BR)CEO ICE=5mA ≥100 V V(BR)EBO IEB=5mA ≥5.0 V ICBO VCB=50V, ≤1.5 μA 直 流 ICEO VCE=50V ≤2.0 mA 参 IEBO VEB=4.0V ≤1.5

1.5. 3dd8.pdf Size:139K _china

3DD8

3DD8 型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E F PCM TC=75℃ 100 W ICM 10 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 1 ℃/W IC=3.5A V(BR)CBO ICB=10mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V V(BR)CEO ICE=10mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V V(BR)EBO IEB=15mA ≥5.0 V ICBO VCB=20V ≤2.0 mA

Datasheet: 3DD6E-T , 3DD7 , 3DD71 , 3DD73 , 3DD741A4 , 3DD741A8 , 3DD742A8 , 3DD7525A3 , 2N4401 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , 3DD9 , 3DD99 , 3DD9D , 3DD9E .

 


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BJT: PT9790 | PT9734 | PT9732 | PT9731 | PT9730 | PT23T9014 | PT23T9013 | PT23T8550 | PT23T8050 | PT23T5551 | PT23T5401 | PT23T3906 | PT23T3904 | PT23T2907A | PT23T2222A | PT236T30E2M | PT236T30E2H | PT236T30E2 | PQMD12 | PPT8N30E2 |