3DD9 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги 3DD9. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DD9
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD9

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD9 даташит

 ..1. Size:28K  shaanxi
3dd9.pdfpdf_icon

3DD9

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD9 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4.

 0.1. Size:153K  china
3dd9d.pdfpdf_icon

3DD9

3DD9D T NPN PCM TC 75 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=10mA 250 V V(BR)CEO ICE=10mA 200 V V(BR)EBO IEB=20mA 3.0 V ICEO VCE=30V 3.0 mA VBEsat 1.8 IC=7.5A V IB=1.5A VCEsat 2.0 VCE=10V hFE 10 150 IC=7.5A

 0.2. Size:149K  china
3dd99.pdfpdf_icon

3DD9

 0.3. Size:154K  china
3dd9e.pdfpdf_icon

3DD9

Другие транзисторы... 3DD741A8 , 3DD742A8 , 3DD7525A3 , 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , B772 , 3DD99 , 3DD9D , 3DD9E , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 , 3DG1009A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.