3DD99 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD99  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD99

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD99 даташит

 ..1. Size:149K  china
 3dd99.pdf pdf_icon

3DD99

Другие транзисторы: 3DD742A8, 3DD7525A3, 3DD8, 3DD810, 3DD820, 3DD831, 3DD8E, 3DD9, 2SA1837, 3DD9D, 3DD9E, 3DF05, 3DF1, 3DF5, 3DG100, 3DG1009A, 3DG101