Справочник транзисторов. 3DG114B

 

Биполярный транзистор 3DG114B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG114B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO18
 

 Аналог (замена) для 3DG114B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG114B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  china
 3dg114b.pdf pdf_icon

3DG114B

3DG114B NPN PCM TA=25 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 1.0 A VBEsat 0.5 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 1.5 VC

 9.1. Size:118K  china
 3dg117b.pdf pdf_icon

3DG114B

3DG117B NPN PCM TA=25 300 mW ICM 30 mA Tjm 175 Tstg -55~175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 160 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 160 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICEO VCE=10V 0.1 A IC=10mA VCEsat 0.7 V IB=1mA VCE=10V hFE 30 IC=5mA VCE=10V

 9.2. Size:127K  china
 3dg112.pdf pdf_icon

3DG114B

3DG112 NPN A B C D PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 15 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

 9.3. Size:128K  china
 3dg111.pdf pdf_icon

3DG114B

3DG111 NPN A B C D PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 60 80 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DG1009A , 3DG101 , 3DG102 , 3DG103 , 3DG1047 , 3DG110 , 3DG111 , 3DG112 , 13005 , 3DG1162 , 3DG117B , 3DG12 , 3DG120 , 3DG121 , 3DG1213 , 3DG1213A , 3DG122 .

History: FN1A4Z | 2SC25

 

 
Back to Top

 


 
.