3DG1213A - описание и поиск аналогов

 

3DG1213A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG1213A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG1213A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG1213A даташит

 ..1. Size:221K  lzg
 3dg1213a.pdf pdf_icon

3DG1213A

2SC1213(3DG1213) 2SC1213A(3DG1213A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Low frequency amplifier applications . 2SA673(3CG673)/2SA673A(3CG673A) Features Complementary pair with 2SA673(3CG673)/2SA673A(3CG673A). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 2SC1

 7.1. Size:221K  lzg
 3dg1213.pdf pdf_icon

3DG1213A

2SC1213(3DG1213) 2SC1213A(3DG1213A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Low frequency amplifier applications . 2SA673(3CG673)/2SA673A(3CG673A) Features Complementary pair with 2SA673(3CG673)/2SA673A(3CG673A). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 2SC1

 8.1. Size:120K  china
 3dg121.pdf pdf_icon

3DG1213A

 9.1. Size:119K  china
 3dg12.pdf pdf_icon

3DG1213A

3DG12 NPN A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 100 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 50 80 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 1.0 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG112, 3DG114B, 3DG1162, 3DG117B, 3DG12, 3DG120, 3DG121, 3DG1213, 13005, 3DG122, 3DG123S, 3DG130, 3DG1317, 3DG1318, 3DG140, 3DG1417, 3DG142

 

 

 

 

↑ Back to Top
.