Биполярный транзистор 3DG1317 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG1317
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: TO92
3DG1317 Datasheet (PDF)
3dg1317.pdf
2SC1317(3DG1317) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency power amplifier and driver. : V , 2SA719(3CG719)/Features: Low V ,complementary CE(sat) CE(sat)pair with 2SA719(3CG719). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating U
3dg1318.pdf
2SC1318(3DG1318) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency power amplifier and driver. : V , 2SA720(3CG720)/Features: Low V ,complementary CE(sat)CE(sat)pair with 2SA720(3CG720). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Ratin
3dg130.pdf
3DG130 NPN A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 45 30 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050