3DG161 - описание и поиск аналогов

 

3DG161. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG161

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92 SOT23 TO18

 Аналоги (замена) для 3DG161

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG161 даташит

 ..1. Size:126K  china
 3dg161.pdf pdf_icon

3DG161

3DG161(A G) NPN A B C D E F G PCM TA=25 300 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CEO ICE=0.5mA 60 100 140 180 220 260 300 V 0 V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCE=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VCE=1.5V 0.1 A VBEsat IC=10mA 3

 9.1. Size:309K  blue-rocket-elect
 br3dg1684.pdf pdf_icon

3DG161

2SC1684(BR3DG1684) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features , High hFE, low VCE(sat). / Applications General purpose amplifier. / Equivalent Circuit

 9.2. Size:114K  china
 3dg162.pdf pdf_icon

3DG161

3DG162 NPN A B C D E F G H I J PCM 300 mW IC 20 mA Tjm 175 V(BR)CB ICB=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 V(BR)CE ICE=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V O 0 0 0 0 0 V(BR)EB 5.0 0 0 0 0 0 V

 9.3. Size:363K  foshan
 3dg1627a.pdf pdf_icon

3DG161

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG1318, 3DG140, 3DG1417, 3DG142, 3DG1473, 3DG1473A, 3DG150, 3DG160, BC639, 3DG162, 3DG1623, 3DG1627A, 3DG1627AF, 3DG1675, 3DG1740M, 3DG1740S, 3DG1741AM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.