3DG1627AF - описание и поиск аналогов

 

3DG1627AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG1627AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 3DG1627AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG1627AF даташит

 ..1. Size:386K  foshan
 3dg1627af.pdf pdf_icon

3DG1627AF

2SC1627AF(3DG1627AF) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Driver stage amplifier and voltage amplifier. 30 35W 2SA817AF(3CG817AF) Features Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817AF(3CG817AF). /Absolute maximum ratings(

 6.1. Size:363K  foshan
 3dg1627a.pdf pdf_icon

3DG1627AF

 8.1. Size:114K  china
 3dg162.pdf pdf_icon

3DG1627AF

3DG162 NPN A B C D E F G H I J PCM 300 mW IC 20 mA Tjm 175 V(BR)CB ICB=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 V(BR)CE ICE=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V O 0 0 0 0 0 V(BR)EB 5.0 0 0 0 0 0 V

 8.2. Size:264K  foshan
 3dg1623.pdf pdf_icon

3DG1627AF

2SC1623(3DG1623) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Audio frequency general amplifier application. h , V 2SA812(3CG812) /Features High h and V , complementary pair FE CEO, FE CEO with 2SA812(3CG812). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG1473, 3DG1473A, 3DG150, 3DG160, 3DG161, 3DG162, 3DG1623, 3DG1627A, TIP142, 3DG1675, 3DG1740M, 3DG1740S, 3DG1741AM, 3DG1741S, 3DG180, 3DG1809, 3DG181

 

 

 

 

↑ Back to Top
.