Биполярный транзистор 3DG180 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DG180
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO18
- подбор биполярного транзистора по параметрам
3DG180 Datasheet (PDF)
3dg180.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DG180NPN Silicon High Reverse Voltage High Frequency Middle Power TransistorFeatures: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplificat
3dg1809.pdf

2SC1809(3DG1809) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: FM radio RF amplifier applications. :f TFeatures: High f , low output capacitance, low base time constant and high gain, T excellent noise characteristics. /A
3dg183.pdf

3DG183 NPN A B C D E PCM TA=25 700 mW ICM 100 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 300 350 400 450 500 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 300 350 400 450 500 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 2.0 A IE
3dg182.pdf

3DG182 NPN A B C D E PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 100 140 180 220 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 100 140 180 220 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 2.0 A IEBO VEB=2V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC581 | 2N2060L | KC857W | 2SD2311 | ECG388 | DDTA123EE | MMBTSC1815L
History: 2SC581 | 2N2060L | KC857W | 2SD2311 | ECG388 | DDTA123EE | MMBTSC1815L



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166