Справочник транзисторов. 3DG181

 

Биполярный транзистор 3DG181 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG181
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18
 

 Аналог (замена) для 3DG181

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG181 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  shaanxi
3dg181.pdfpdf_icon

3DG181

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DG181, 3DG182 NPN Silicon High Reverse Voltage High Frequency Middle Power Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal am

 0.1. Size:234K  foshan
3dg1815.pdfpdf_icon

3DG181

2SC1815(3DG1815) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: Audio frequency general purpose ,driver stage amplifier applications. :,, h ,, 2SA1015(3CG1015) FEFeatures: High voltage and high current, excellent h linearity ,low noise ,complementary FEp

 0.2. Size:387K  foshan
3dg1815m.pdfpdf_icon

3DG181

2SC1815M(3DG1815M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,/Purpose: Audio frequency general purpose, driver stage amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 150 mA C I 50 mA B P 300 mW C T

 9.1. Size:119K  china
3dg183.pdfpdf_icon

3DG181

3DG183 NPN A B C D E PCM TA=25 700 mW ICM 100 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 300 350 400 450 500 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 300 350 400 450 500 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 2.0 A IE

Другие транзисторы... 3DG1627AF , 3DG1675 , 3DG1740M , 3DG1740S , 3DG1741AM , 3DG1741S , 3DG180 , 3DG1809 , TIP36C , 3DG1815 , 3DG1815M , 3DG182 , 3DG183 , 3DG1859 , 3DG1906 , 3DG1921 , 3DG1923 .

History: KSH42C | DMA56404 | 2SA288 | 2SD1482 | BRY56 | RCA1B01 | 2N444A

 

 
Back to Top

 


 
.