Справочник транзисторов. 3DG2120

 

Биполярный транзистор 3DG2120 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG2120
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DG2120

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  lzg
 3dg2120.pdf pdf_icon

3DG2120

2SC2120(3DG2120) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency power amplifier applications. : h , 1W , 2SA950(3CG950)/Features: High h ,1 watts amplifier FEFE,applications, complementary pair with 2SA950(3CG950). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:115K  china
 3dg2102.pdf pdf_icon

3DG2120

3DG2102 NPN A B C PCM TA=25 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 80 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6 V ICBO VCE=10V 0.1 A VBEsat 1.2 Ic=500mA V IB=50mA VCEsat

 9.2. Size:118K  china
 3dg210.pdf pdf_icon

3DG2120

3DG210 NPN A B C PCM 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 100 120 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 80 100 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.1 A VBEsat

Другие транзисторы... 3DG1959M , 3DG19A , 3DG2001 , 3DG2053 , 3DG2058S , 3DG2060 , 3DG210 , 3DG2102 , TIP41 , 3DG2216 , 3DG2216M , 3DG2218A , 3DG2219 , 3DG2222 , 3DG2222A , 3DG2229 , 3DG2230 .

History: KT646A | 2SD959 | KT216V | 2SD482 | FPS6523 | MT6L61AE | P9623

 

 
Back to Top

 


 
.