Справочник транзисторов. 3DG2120

 

Биполярный транзистор 3DG2120 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG2120

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 3DG2120

 

 

3DG2120 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg2120.pdf Size:262K _china

3DG2120
3DG2120

2SC2120(3DG2120) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于音频功率放大。/Purpose: Audio frequency power amplifier applications. 特点:高 h ,可得 1W 输出,与 2SA950(3CG950)互补。/Features: High h ,1 watts amplifier FE FE, applications, complementary pair with 2SA950(3CG950). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单

5.1. 3dg210.pdf Size:118K _china

3DG2120

3DG210 型 NPN 硅高频小功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C PCM 1000 mW 极 ICM 1000 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥80 ≥100 ≥120 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥60 ≥80 ≥100 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥6.0 V ICBO VCB=10V ≤0.1 μA 直 ICEO VCE=10V ≤1.0 μA 流 参 IEBO VEB=2V ≤0.1 μA 数 VBEsat

5.2. 3dg2102.pdf Size:115K _china

3DG2120

3DG2102 型 NPN 硅高频小功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C PCM TA=25℃ 1000 mW 极 ICM 1000 mA 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥60 ≥80 ≥100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥80 ≥100 ≥120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥6 V 直 ICBO VCE=10V ≤0.1 μA 流 参 VBEsat ≤1.2 Ic=500mA V 数 IB=50mA VCEsat

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


3DG2120
  3DG2120
  3DG2120
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top