Справочник транзисторов. 3DG2218A

 

Биполярный транзистор 3DG2218A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG2218A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3DG2218A

 

 

3DG2218A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  china
3dg2218a.pdf

3DG2218A

3DG2218A NPN PCM TA=25 800 mW ICM 800 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CEO ICE=10mA 50 V V(BR)CBO ICB=10 A 75 V V(BR)EBO IEB=10 A 6 V ICEO VCE=50V 10 A ICBO VCB=60V 10 A IEBO VEB=6V 10 A VBEsat 2.0 V IC=500mA IB=5

 8.1. Size:109K  china
3dg2219.pdf

3DG2218A

3DG2219(2N2219) NPN PCM TA=25 800 mW ICM 800 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB10A 75 V V(BR)CEO ICE10mA 40 V V(BR)EBO IEB10A 6.0 V ICBO VCB=60V 10 nA IEBO VCB=3.0V 10 nA IC=0.5A VCEsat 1.0 V IB=0.05A VCE=10V hFE 100~300 IC=0.15A

 8.2. Size:372K  foshan
3dg2216m.pdf

3DG2218A 3DG2218A

2SC2216M(3DG2216M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: TV final picture IF amplifier applications. :,h FEFeatures: High gain, good h linearity. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 45 V CEO V 4.0 V EB

 8.3. Size:209K  lzg
3dg2216.pdf

3DG2218A 3DG2218A

2SC2216(3DG2216) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: TV final picture IF amplifier applications. :,h FEFeatures: High gain, good h linearity. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 45 V CEO V 4.0 V EBO

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2N3055 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top