Биполярный транзистор 3DG2308 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG2308
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
3DG2308 Datasheet (PDF)
3dg2308.pdf
2SC2308(3DG2308) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, 2SA1030(3CG1030) Purpose: Low frequency amplifier, complementary pair with 2SA1030(3CG1030). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 55 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA CI -100 mA E P 200 mW C T
3dg2383.pdf
2SC2383(3DG2383) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: Color TV class B sound output applications. :V , 2SA1013(3CG1013) CEOFeatures: High V , complementary pair with 2SA1013(3CG1013). CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 160
3dg2383t.pdf
2SC2383T(3DG2383T) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: Color TV class B sound output applications. :V , 2SA1013T(3CG1013T) CEOFeatures: High V , complementary pair with 2SA1013T(3CG1013T). CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050