Биполярный транзистор 3DG2412K
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG2412K
Маркировка: HBQ_HBR_HBS
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора:
SOT23
3DG2412K
Datasheet (PDF)
..1. Size:229K lzg
3dg2412k.pdf 2SC2412K(3DG2412K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150
8.1. Size:405K lzg
3dg2413k.pdf 2SC2413K(3DG2413K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Applications: High-frequency amplifier applications. : , Features: Low collector capacitance. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA
8.2. Size:313K lzg
3dg2411k.pdf 2SC2411K(3DG2411K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Medium power amplifier applications. :,, 2SA1036K(3CG1036K) Features: Large I , low V ,complementary pair with the 2SA1036K(3CG1036K). C CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)
9.1. Size:182K crhj
3dg2482ha1.pdf NPN R 3DG2482H A1 3DG2482H A1 VCEO 400 V NPN IC 0.45 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.2. Size:182K crhj
3dg2482h a1.pdf NPN R 3DG2482H A1 3DG2482H A1 VCEO 400 V NPN IC 0.45 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.3. Size:180K crhj
3dg2482s.pdf NPN R 3DG2482S 3DG2482S NPN VCEO 400 V IC 0.35 A Ptot Ta=25 0.8 W
9.4. Size:210K lzg
3dg2482.pdf 2SC2482(3DG2482) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : , Purpose: High voltage switching and amplifier, color TV horiz driver, chroma output applications. : , Features: High voltage, small collector output capacitance. /Absolute maximum ratings(
9.5. Size:335K lzg
3dg2404.pdf 2SC2404(3DG2404) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Suitable for RF amplifier in FM/AM radios. :/Features: High f . T/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 15 mA C P 100
9.6. Size:374K lzg
3dg2458.pdf 2SC2458(3DG2458) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency amplifier applications. :,h , h ,, 2SA1048(3CG1048) FE FEFeatures: High current capability, high DC current gain, excellent h linearity, low FEnoise, complementary to 2SA1048(3CG1048).
Другие транзисторы... 2SA1771
, 2SA178
, 2SA1790
, 2SA1791
, 2SA1792
, 2SA1793
, 2SA1794
, 2SA1795
, BC557
, 2SA1799
, 2SA17H
, 2SA18
, 2SA180
, 2SA1800
, 2SA1800O
, 2SA1800R
, 2SA1800Y
.