Биполярный транзистор 3DG2412K - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG2412K
Маркировка: HBQ_HBR_HBS
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT23
3DG2412K Datasheet (PDF)
3dg2412k.pdf
2SC2412K(3DG2412K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150
3dg2413k.pdf
2SC2413K(3DG2413K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Applications: High-frequency amplifier applications. : , Features: Low collector capacitance. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA
3dg2411k.pdf
2SC2411K(3DG2411K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Medium power amplifier applications. :,, 2SA1036K(3CG1036K) Features: Large I , low V ,complementary pair with the 2SA1036K(3CG1036K). C CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)
3dg2482ha1.pdf
NPN R 3DG2482H A1 3DG2482H A1 VCEO 400 V NPN IC 0.45 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dg2482h a1.pdf
NPN R 3DG2482H A1 3DG2482H A1 VCEO 400 V NPN IC 0.45 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dg2482.pdf
2SC2482(3DG2482) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : , Purpose: High voltage switching and amplifier, color TV horiz driver, chroma output applications. : , Features: High voltage, small collector output capacitance. /Absolute maximum ratings(
3dg2404.pdf
2SC2404(3DG2404) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Suitable for RF amplifier in FM/AM radios. :/Features: High f . T/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 15 mA C P 100
3dg2458.pdf
2SC2458(3DG2458) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency amplifier applications. :,h , h ,, 2SA1048(3CG1048) FE FEFeatures: High current capability, high DC current gain, excellent h linearity, low FEnoise, complementary to 2SA1048(3CG1048).
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ