3DG2413K. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DG2413K
Маркировка: HAN_HAP_HAQ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для 3DG2413K
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DG2413K даташит
3dg2413k.pdf
2SC2413K(3DG2413K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Applications High-frequency amplifier applications. , Features Low collector capacitance. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA
3dg2411k.pdf
2SC2411K(3DG2411K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Medium power amplifier applications. , , 2SA1036K(3CG1036K) Features Large I , low V ,complementary pair with the 2SA1036K(3CG1036K). C CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 )
Другие транзисторы: 3DG2274, 3DG2274K, 3DG2308, 3DG2383, 3DG2383T, 3DG2404, 3DG2411K, 3DG2412K, 2SD718, 3DG2458, 3DG2482, 3DG2482HA1, 3DG2500, 3DG2610, 3DG2655, 3DG2668, 3DG27
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414









