Справочник транзисторов. 3DG2458

 

Биполярный транзистор 3DG2458 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG2458
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для 3DG2458

 

 

3DG2458 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  lzg
3dg2458.pdf

3DG2458 3DG2458

2SC2458(3DG2458) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency amplifier applications. :,h , h ,, 2SA1048(3CG1048) FE FEFeatures: High current capability, high DC current gain, excellent h linearity, low FEnoise, complementary to 2SA1048(3CG1048).

 9.1. Size:182K  crhj
3dg2482ha1.pdf

3DG2458 3DG2458

NPN R 3DG2482H A1 3DG2482H A1 VCEO 400 V NPN IC 0.45 A Ptot Ta=25 0.8 W

 9.2. Size:182K  crhj
3dg2482h a1.pdf

3DG2458 3DG2458

NPN R 3DG2482H A1 3DG2482H A1 VCEO 400 V NPN IC 0.45 A Ptot Ta=25 0.8 W

 9.3. Size:180K  crhj
3dg2482s.pdf

3DG2458 3DG2458

NPN R 3DG2482S 3DG2482S NPN VCEO 400 V IC 0.35 A Ptot Ta=25 0.8 W

 9.4. Size:210K  lzg
3dg2482.pdf

3DG2458 3DG2458

2SC2482(3DG2482) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : , Purpose: High voltage switching and amplifier, color TV horiz driver, chroma output applications. : , Features: High voltage, small collector output capacitance. /Absolute maximum ratings(

 9.5. Size:405K  lzg
3dg2413k.pdf

3DG2458 3DG2458

2SC2413K(3DG2413K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Applications: High-frequency amplifier applications. : , Features: Low collector capacitance. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA

 9.6. Size:229K  lzg
3dg2412k.pdf

3DG2458 3DG2458

2SC2412K(3DG2412K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150

 9.7. Size:313K  lzg
3dg2411k.pdf

3DG2458 3DG2458

2SC2411K(3DG2411K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Medium power amplifier applications. :,, 2SA1036K(3CG1036K) Features: Large I , low V ,complementary pair with the 2SA1036K(3CG1036K). C CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.8. Size:335K  lzg
3dg2404.pdf

3DG2458 3DG2458

2SC2404(3DG2404) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Suitable for RF amplifier in FM/AM radios. :/Features: High f . T/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 15 mA C P 100

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top