Справочник транзисторов. 3DG2610

 

Биполярный транзистор 3DG2610 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG2610

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора: TO92L

Аналоги (замена) для 3DG2610

 

 

3DG2610 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg2610.pdf Size:235K _china

3DG2610
3DG2610

2SC2610(3DG2610) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于高电压增幅,电视视频输出。 Purpose: High voltage amplifier, TV video output. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C P 800 mW C T 150 ℃ j T -55~150 ℃ stg 电性

5.1. 3dg2668.pdf Size:151K _china

3DG2610
3DG2610

2SC2668(3DG2668) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于高频放大,调频,射频,混频中放电路。 Purpose: High frequency amplifier, FM,RF,MIX IF amplifier applications. 特点:反向传输电容小,噪声系数低。 Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单

5.2. 3dg2655.pdf Size:253K _china

3DG2610
3DG2610

2SC2655(3DG2655) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:功率放大,功率开关。/Purpose: Power amplifier and switching applications. 特点:饱和压降小,开关速度快,与 2SA1020(3CG1020)互补。/Features: Low saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SA1020(3CG1020). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数

Другие транзисторы... 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 , 2SC631 , 2SC631A , 2SC631AS , 2SC632 , 2SC632A , BC547C , 2SC633A , 2SC634 , 2SC634A , 2SC635 , 2SC636 , 2SC637 , 2SC638 , 2SC639 .

 

 
Back to Top