Биполярный транзистор 3DG2610 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG2610
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO92L
3DG2610 Datasheet (PDF)
3dg2610.pdf
2SC2610(3DG2610) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: High voltage amplifier, TV video output. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C P 800 mW CT 150 j T -55150 stg
3dg2668.pdf
2SC2668(3DG2668) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,,, Purpose: High frequency amplifier, FM,RF,MIX IF amplifier applications. :, Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure. /Absolute maximum ratings(Ta=25)
3dg2655.pdf
2SC2655(3DG2655) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,/Purpose: Power amplifier and switching applications. :,, 2SA1020(3CG1020)/Features: Low saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SA1020(3CG1020). /Absolute maximum ratings(Ta=25)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050