3DG2710 - описание и поиск аналогов

 

3DG2710. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG2710

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG2710

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2710 даташит

 ..1. Size:223K  foshan
 3dg2710.pdf pdf_icon

3DG2710

2SC2710(3DG2710) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio amplifier applications. , 2SA1150(3CG1150) Features High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 35 V CBO

 8.1. Size:211K  foshan
 3dg2717.pdf pdf_icon

3DG2710

2SC2717(3DG2717) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I

 8.2. Size:234K  foshan
 3dg2717m.pdf pdf_icon

3DG2710

2SC2717M(3DG2717M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO

 8.3. Size:297K  foshan
 3dg2712.pdf pdf_icon

3DG2710

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DG2482 , 3DG2482HA1 , 3DG2500 , 3DG2610 , 3DG2655 , 3DG2668 , 3DG27 , 3DG2703 , 2SC1815 , 3DG2712 , 3DG2714 , 3DG2715 , 3DG2717 , 3DG2717M , 3DG2732 , 3DG2734 , 3DG2736 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.