Справочник транзисторов. 3DG2734

 

Биполярный транзистор 3DG2734 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG2734

Маркировка: HGC

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для 3DG2734

 

 

3DG2734 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg2734.pdf Size:141K _china

3DG2734
3DG2734

2SC2734(3DG2734) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于超高频频率转换,负载振荡器,宽频放大。 Purpose: UHF frequency converter, local oscillator,wide band amplifier. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 20 V CBO V 11 V CEO V 3.0 V EBO I 50 mA C P 150 mW C T 150

4.1. 3dg2736.pdf Size:177K _china

3DG2734
3DG2734

2SC2736(3DG2736) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于超高频、特高频的频率转换,负载振荡器。 Purpose: UHF/VHF frequency converter, local oscillator. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 50 mA C P 150 mW C T 150 ℃ j T -55~

4.2. 3dg2732.pdf Size:152K _china

3DG2734
3DG2734

2SC2732(3DG2732) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于超高频的频率转换。 Purpose: UHF frequency converter. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I 20 mA C P 150 mW C T 150 ℃ j T -55~150 ℃ stg 电性能参数/Electrical charact

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top