3DG2736 - описание и поиск аналогов

 

3DG2736. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG2736

Маркировка: HTC

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3DG2736

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2736 даташит

 ..1. Size:177K  foshan
 3dg2736.pdf pdf_icon

3DG2736

2SC2736(3DG2736) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Purpose UHF/VHF frequency converter, local oscillator. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 50 mA C P 150 mW C T 150 j T -55

 8.1. Size:141K  foshan
 3dg2734.pdf pdf_icon

3DG2736

 8.2. Size:152K  foshan
 3dg2732.pdf pdf_icon

3DG2736

2SC2732(3DG2732) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose UHF frequency converter. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I 20 mA C P 150 mW C T 150 j T -55 150 stg /Electrical charact

 9.1. Size:110K  china
 3dg27.pdf pdf_icon

3DG2736

3DG27 NPN A B C D E PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 100 140 180 220 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 100 140 180 220 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=30V 2.0 A ICEO VCE=30V 2.0 A IEBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG2710, 3DG2712, 3DG2714, 3DG2715, 3DG2717, 3DG2717M, 3DG2732, 3DG2734, 8050, 3DG2785, 3DG2786, 3DG2812, 3DG2839, 3DG2873, 3DG2878, 3DG2881, 3DG2881A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.