Биполярный транзистор 3DG2812 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG2812
Маркировка: L4H_L5H_L6H_L7H
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: SOT23
3DG2812 Datasheet (PDF)
3dg2812.pdf
2SC2812(3DG2812) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Low frequency general-purpose amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 55 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 150 mA C I 300 mA cp P 200 mW C T 150 j T -55150
3dg2881a.pdf
2SC2881A(3DG2881A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: power amplifier applications. ,, 2SA1201A(3CG1201A) Features: High f , high V , small flat package, complementary pair with 2SA1201A(3CG1201A). T CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25)
3dg2881.pdf
2SC2881(3DG2881) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: power amplifier applications. ,, 2SA1201(3CG1201) Features: High f , high V , small flat package, complementary pair with 2SA1201(3CG1201). T CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25)
3dg2884.pdf
2SC2884(3DG2884) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency amplifier applications. : h , 1W , 2SA1204(3CG1204) FE,Features: High h , for out stage of 1 watts amplifier, complementary to 2SA1204(3CG1204). FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Sym
3dg2839.pdf
2SC2839(3DG2839) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency general amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 5.0 V EBO I 30 mA C P (Ta=25) 150 mW C T 150 j T -55150 stg
3dg2873.pdf
2SC2873(3DG2873) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier and switching applications. : , 2SA1213(3CG1213) Features: Low collector saturation voltage, High speed switching time, small flat package, Complementary to 2SA1213(3CG1213).
3dg2878.pdf
2SC2878(3DG2878) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: For muting and switching applications. :, /Features: High reverse h reverse: FEh =150(V =-2V,I =-2mA),low on resistance. FE CE C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050