3DG2812 - описание и поиск аналогов

 

3DG2812. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG2812

Маркировка: L4H_L5H_L6H_L7H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3DG2812

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2812 даташит

 ..1. Size:305K  foshan
 3dg2812.pdf pdf_icon

3DG2812

2SC2812(3DG2812) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Low frequency general-purpose amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 55 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 150 mA C I 300 mA cp P 200 mW C T 150 j T -55 150

 9.1. Size:373K  foshan
 3dg2881a.pdf pdf_icon

3DG2812

 9.2. Size:454K  foshan
 3dg2881.pdf pdf_icon

3DG2812

 9.3. Size:301K  foshan
 3dg2884.pdf pdf_icon

3DG2812

2SC2884(3DG2884) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio frequency amplifier applications. h , 1W , 2SA1204(3CG1204) FE, Features High h , for out stage of 1 watts amplifier, complementary to 2SA1204(3CG1204). FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Sym

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG2715, 3DG2717, 3DG2717M, 3DG2732, 3DG2734, 3DG2736, 3DG2785, 3DG2786, TIP127, 3DG2839, 3DG2873, 3DG2878, 3DG2881, 3DG2881A, 3DG2884, 3DG2909, 3DG2999

 

 

 

 

↑ Back to Top
.