3DG2884. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DG2884
Маркировка: HPO_HPY
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 3DG2884
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DG2884 даташит
3dg2884.pdf
2SC2884(3DG2884) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio frequency amplifier applications. h , 1W , 2SA1204(3CG1204) FE, Features High h , for out stage of 1 watts amplifier, complementary to 2SA1204(3CG1204). FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Sym
3dg2812.pdf
2SC2812(3DG2812) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Low frequency general-purpose amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 55 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 150 mA C I 300 mA cp P 200 mW C T 150 j T -55 150
Другие транзисторы: 3DG2785, 3DG2786, 3DG2812, 3DG2839, 3DG2873, 3DG2878, 3DG2881, 3DG2881A, 9014, 3DG2909, 3DG2999, 3DG302, 3DG3020, 3DG3020A1, 3DG3130, 3DG3137, 3DG3142
History: 3DG2308 | 3DG2274
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830







