3DG3020A1 - описание и поиск аналогов

 

3DG3020A1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG3020A1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG3020A1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG3020A1 даташит

 ..1. Size:178K  crhj
 3dg3020a1.pdf pdf_icon

3DG3020A1

NPN R 3DG3020 A1 3DG3020 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

 ..2. Size:176K  wuxi china
 3dg3020a1.pdf pdf_icon

3DG3020A1

 7.1. Size:718K  jilin sino
 3dg3020.pdf pdf_icon

3DG3020A1

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DG3020 MAIN CHARACTERISTICS Package I 1.5A C V 450V CEO P (TO-92) 1W C P (IPAK) 10W C P (TO-126/DPAK) 20W C APPLICATIONS TO-92-FJ TO-126 Battery charger Electronic ballasts High

 7.2. Size:111K  china
 3dg3020.pdf pdf_icon

3DG3020A1

3DG3020 NPN A B C PCM TA=25 800 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 120 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.5 A ICEO VCE=20V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.5 A VBEsat 1.0 I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG2878, 3DG2881, 3DG2881A, 3DG2884, 3DG2909, 3DG2999, 3DG302, 3DG3020, 2SB817, 3DG3130, 3DG3137, 3DG3142, 3DG3326, 3DG3330, 3DG3332, 3DG3355, 3DG3356

 

 

 

 

↑ Back to Top
.