Биполярный транзистор 3DG3137 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG3137
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO18
3DG3137 Datasheet (PDF)
8.1. Size:157K foshan
3dg3130.pdf
3dg3130.pdf
2SC3130(3DG3130) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency amplifier, oscillation and mixing amplification. f TFeatures: High f , small Cob and small Crb. T /Absolute maximum ratings(Ta=25)
9.1. Size:207K foshan
3dg3142.pdf
3dg3142.pdf
2SC3142(3DG3142) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency general-purpose amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 25 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 30 mA C P 150 mW C T 150 j T -55150 stg
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050