Справочник транзисторов. 3DG3332

 

Биполярный транзистор 3DG3332 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG3332
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG3332

 

 

3DG3332 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  jiangsu
3dg3332.pdf

3DG3332

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DG3332 TRANSISTOR (NPN) TO 92 FEATURES 1.EMITTER Low Current High Voltage2. COLLECTOR 3.BASE APPLICATIONS Video Telephony Professional Communication Equipment MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 180

 8.1. Size:291K  lzg
3dg3330.pdf

3DG3332 3DG3332

2SC3330(3DG3330) NPN /SILION NPN TRANSISTOR : Purpose: Capable of being used in the low frequency to high frequency range. :/Features: Large current capacity and wide ASO. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V

 9.1. Size:111K  china
3dg3399.pdf

3DG3332

3DG3399(2SC3399) NPN PCM TA=25 300 mW ICM 100 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.01m 50 V A V(BR)CEO ICE=0.1mA 50 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 10 V ICBO VCB=40V 0.1 A ICEO VCB=40V 0.5 A IEBO VEB=5V 80 A IC=5mA VCEsat 0.3 V

 9.2. Size:161K  china
3dg3356.pdf

3DG3332 3DG3332

2SC3356(3DG3356) NPN /SILION NPN TRANSISTOR : Purpose: low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. : Features: Low noise and high power gain. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Uni

 9.3. Size:202K  foshan
3dg3357.pdf

3DG3332 3DG3332

2SC3357(3DG3357) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. :,, Features: Low noise and high gain, large P in small package. C/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.4. Size:314K  foshan
3dg3326.pdf

3DG3332 3DG3332

2SC3326(3DG3326) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: For muting and switching applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 20 V CEO V 12 V EBO I 300 mA C I 60 mA B P 150 mW C T 150 j T -55150 stg /Electrical ch

 9.5. Size:174K  foshan
3dg3355.pdf

3DG3332 3DG3332

2SC3355(3DG3355) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. : Features: Low noise and high power gain. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating U

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top