Биполярный транзистор 3DG3357
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG3357
Маркировка: HRH_HRF_HRE_HRG
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6500
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.65
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора:
SOT89
Аналоги (замена) для 3DG3357
3DG3357
Datasheet (PDF)
..1. Size:202K foshan
3dg3357.pdf 2SC3357(3DG3357) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. :,, Features: Low noise and high gain, large P in small package. C/Absolute maximum ratings(Ta=25)
8.1. Size:161K china
3dg3356.pdf 2SC3356(3DG3356) NPN /SILION NPN TRANSISTOR : Purpose: low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. : Features: Low noise and high power gain. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Uni
8.2. Size:174K foshan
3dg3355.pdf 2SC3355(3DG3355) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. : Features: Low noise and high power gain. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating U
9.1. Size:112K jiangsu
3dg3332.pdf JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DG3332 TRANSISTOR (NPN) TO 92 FEATURES 1.EMITTER Low Current High Voltage2. COLLECTOR 3.BASE APPLICATIONS Video Telephony Professional Communication Equipment MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 180
9.2. Size:111K china
3dg3399.pdf 3DG3399(2SC3399) NPN PCM TA=25 300 mW ICM 100 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.01m 50 V A V(BR)CEO ICE=0.1mA 50 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 10 V ICBO VCB=40V 0.1 A ICEO VCB=40V 0.5 A IEBO VEB=5V 80 A IC=5mA VCEsat 0.3 V
9.3. Size:314K foshan
3dg3326.pdf 2SC3326(3DG3326) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: For muting and switching applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 20 V CEO V 12 V EBO I 300 mA C I 60 mA B P 150 mW C T 150 j T -55150 stg /Electrical ch
9.4. Size:291K lzg
3dg3330.pdf 2SC3330(3DG3330) NPN /SILION NPN TRANSISTOR : Purpose: Capable of being used in the low frequency to high frequency range. :/Features: Large current capacity and wide ASO. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.