3DG4115S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG4115S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 290 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92S

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG4115S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG4115S даташит

 ..1. Size:386K  lzg
 3dg4115s.pdf pdf_icon

3DG4115S

2SC4115S(3DG4115S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Low frequency amplifier. 2SA1585S(3CG1585S) Features Low V ,excellent current gain characteristics complementary pair with CE(sat) 2SA1585S(3CG1585S). /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

 9.1. Size:254K  lzg
 3dg4155a.pdf pdf_icon

3DG4115S

2SC4155(3DG4155) 2SC4155A(3DG4155A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose For hybrid IC,small type machine low frequency voltage amplify application. - Vce sat =0.3Vmax SOT-23 ( ) /Feature Small collectoe to e

Другие транзисторы: 3DG3841, 3DG388ATM, 3DG3904, 3DG4, 3DG4003, 3DG4081, 3DG4081W, 3DG4097, 2SD998, 3DG4155A, 3DG42, 3DG4401, 3DG458, 3DG5088, 3DG512B, 3DG512C, 3DG531