Справочник транзисторов. 3DG458

 

Биполярный транзистор 3DG458 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG458

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для 3DG458

 

 

3DG458 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg458.pdf Size:134K _china

3DG458
3DG458

2SC458(3DG458) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于低频放大。 Purpose: Low frequency amplifier. 特点:2SA1029(3CG1029)互补。 Features: Complementary pair with 2SA1029(3CG1029). 极限参数/Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 30 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C I -100 mA E

Другие транзисторы... 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2N32 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N4401 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2N3208 , 2N3209 , 2N3209AQF .

 

 
Back to Top

 


3DG458
  3DG458
  3DG458
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top