Справочник транзисторов. 3DG458

 

Биполярный транзистор 3DG458 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG458
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG458

 

 

3DG458 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  foshan
3dg458.pdf

3DG458
3DG458

2SC458(3DG458) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Low frequency amplifier. :2SA1029(3CG1029) Features: Complementary pair with 2SA1029(3CG1029). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 30 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C I -100 mA E

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2N3055 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top