3DG458 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG458  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG458

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG458 даташит

 ..1. Size:134K  foshan
 3dg458.pdf pdf_icon

3DG458

2SC458(3DG458) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Low frequency amplifier. 2SA1029(3CG1029) Features Complementary pair with 2SA1029(3CG1029). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 30 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C I -100 mA E

Другие транзисторы: 3DG4003, 3DG4081, 3DG4081W, 3DG4097, 3DG4115S, 3DG4155A, 3DG42, 3DG4401, A42, 3DG5088, 3DG512B, 3DG512C, 3DG531, 3DG535, 3DG536KM, 3DG536M, 3DG5401