Биполярный транзистор 3DG458 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG458
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
3DG458 Datasheet (PDF)
1.1. 3dg458.pdf 
Size:134K _china
2SC458(3DG458) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于低频放大。 Purpose: Low frequency amplifier. 特点:2SA1029(3CG1029)互补。 Features: Complementary pair with 2SA1029(3CG1029). 极限参数/Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 30 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C I -100 mA E
Другие транзисторы... 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2N32 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N4401 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2N3208 , 2N3209 , 2N3209AQF .
