2N911 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N911  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N911

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N911 даташит

 0.1. Size:8K  no
 2n910-s 2n911-s 2n912-s.pdf pdf_icon

2N911

The documentation and process conversion measures INCH-POUND necessary to comply with this amendment shall be completed by 6 June 2001. MIL-S-19500/274C AMENDMENT 1 6 March 2001 MILITARY SPECIFICATION SEMICONDUCTOR DEVICE, NPN, SILICON, TRANSISTORS TYPES 2N910, 2N910S, 2N911, 2N911S, 2N912, AND 2N912S, JAN AND JANTX Inactive for new design after 7 June 1999. This amendment forms a par

Другие транзисторы: 2N904, 2N905, 2N906, 2N907, 2N908, 2N909, 2N91, 2N910, BD333, 2N912, 2N913, 2N914, 2N914-46, 2N914-51, 2N914A, 2N915, 2N915A