Биполярный транзистор 3DG536KM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG536KM
Маркировка: H53D_H53E_H53F_H53G_H53H
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT23
3DG536KM Datasheet (PDF)
3dg536km.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 VCBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBOI 10
br3dg536k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Large current capacity and wide ASO / Applications Small signal general purpose amplifier appl
3dg536m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 VCBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBOI 10
3dg531.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
3DG531(FG531) NPN A B C D PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 35 40 V V(BR)EBO IEB=1mA 3.0 4.0 V ICEO VCE=20V 0.5 mA IC=100mA VCEsat 0.5 V IB=10mA VCE=10V hFE 20 IC=5
3dg535.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC535(3DG535) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : VHF ,, Purpose: VHF amplifier, mixer, local oscillator. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 4.0 V EBO I 20 mA C P 100 mW C T 150 j T -55150 stg
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .