3DG536KM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG536KM  📄📄 

Маркировка: H53D_H53E_H53F_H53G_H53H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG536KM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG536KM даташит

 ..1. Size:219K  lzg
 3dg536km.pdf pdf_icon

3DG536KM

2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 V CBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBO I 10

 7.1. Size:620K  blue-rocket-elect
 br3dg536k.pdf pdf_icon

3DG536KM

2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Large current capacity and wide ASO / Applications Small signal general purpose amplifier appl

 8.1. Size:219K  lzg
 3dg536m.pdf pdf_icon

3DG536KM

2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 V CBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBO I 10

 9.1. Size:109K  china
 3dg531.pdf pdf_icon

3DG536KM

3DG531(FG531) NPN A B C D PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 35 40 V V(BR)EBO IEB=1mA 3.0 4.0 V ICEO VCE=20V 0.5 mA IC=100mA VCEsat 0.5 V IB=10mA VCE=10V hFE 20 IC=5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG42, 3DG4401, 3DG458, 3DG5088, 3DG512B, 3DG512C, 3DG531, 3DG535, 2SC5200, 3DG536M, 3DG5401, 3DG5551, 3DG5770, 3DG6, 3DG639, 3DG6520, 3DG718A